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MRF8S9220HR3 MRF8S9220HSR3
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION, TOOLS AND SOFTWARE
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Application Notes
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AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
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EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
Software
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Electromigration MTTF Calculator
?
RF High Power Model
?
.s2p File
For Software and Tools, do a Part Number search at http://www.freescale.com, and select the ?Part Number? link. Go to the
Software & Tools tab on the part?s Product Summary page to download the respective tool.
REVISION HISTORY
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Revision
Date
Description
0
Nov. 2009
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MRF8S9260HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9260HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9260HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9260HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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